VACUUM DEVICE磁控濺射沉積設(shè)備的使用流程
氬氣主要用作真空設(shè)備中產(chǎn)生等離子體所必需的氣源。
使用氬氣是因為它具有惰性,不易與其他元素發(fā)生化學(xué)反應(yīng),濺射率高。
它的另一個特點是廣泛使用價格低廉的高純度氣體。
當在電極之間施加超過一定水平的電壓時,熱電子從陽極側(cè)發(fā)射。
當這些熱電子與氬氣碰撞時,更多的電子在連鎖反應(yīng)中一個接一個地被射出并電離,使氬氣變成正離子。這時,電離的電子在試圖恢復(fù)到原來的狀態(tài)時會發(fā)光。這就是等離子看起來有光澤的原因。
在等離子體中,預(yù)電離的氬原子、發(fā)射的電子和正電離的氬原子處于不穩(wěn)定和混亂的狀態(tài)。 發(fā)射出的電子被磁控管的磁力線俘獲,一邊反復(fù)做圓周運動,一邊與氬氣分子一個接一個地反復(fù)碰撞。磁控管的濺射效率好,是因為電子被磁場捕獲,促進了氬氣的電離。 磁控濺射的等離子體局部明亮,因為那里磁場集中,經(jīng)常發(fā)生電離。
正電離的氬氣被吸引到帶負電的靶表面并與其高速碰撞。
靶材金屬粒子因與靶材的碰撞力而濺射而出。 噴射出的目標金屬顆粒在與氣體分子碰撞的同時到達樣品。 當金屬顆粒相互碰撞時,一些顆粒會生長。 將粉雪落在樣本上的圖像是個好主意。 最終到達樣品的金屬顆粒一個接一個聚集形成薄膜。 由于粒徑因金屬的種類而異,因此需要選擇適合的金屬來制作所需的薄膜。
在等離子體中,氣體分子和負離子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
當電離的負離子試圖恢復(fù)到原來的狀態(tài)時發(fā)光。
加上正離子與負靶碰撞。
散落的目標金屬顆粒與氣體分子碰撞并聚集在樣品上。
不同的金屬有不同的粒徑。
相關(guān)產(chǎn)品介紹
設(shè)備 | 特征 | 目標金屬 |
MSP-mini 超小型濺射設(shè)備 對于光學(xué)顯微鏡,這是適合制作有光澤的 Ag 薄膜以及 SEM 和臺式 SEM 預(yù)處理的裝置。 | ||
MSP-1S 是一款帶有內(nèi)置泵的緊湊型濺射系統(tǒng)。 也可用于濺射鉑靶,可用于高達約50,000倍的高倍率觀察。 |
設(shè)備 | 特征 | 目標金屬 |
MSP-20UM 針對各種應(yīng)用的可調(diào)功能。設(shè)置條件后,可以使用全自動按鈕進行自動沉積。 可選傾斜旋轉(zhuǎn)樣品臺。提高轉(zhuǎn)彎性能。 配備氬氣導(dǎo)入,可鍍上更高純度的貴金屬薄膜。 聯(lián)鎖和安全機構(gòu)也是重要的濺射設(shè)備。 | ||
MSP- 20MT 配備φ100mm尺寸的靶電極的4英寸晶圓用濺射裝置。 該設(shè)備概念基于 MSP-20,可對更廣泛的樣品進行涂層。 | ||
該設(shè)備專為MSP-20TK鎢濺射而開發(fā)。它還可用于超高分辨率 SEM 觀察。大容量電源可以濺射貴金屬以外的多種金屬。 氬氣用作氣氛氣體。風(fēng)冷磁控管靶可減少樣品損壞并防止靶溫升。 |
設(shè)備 | 特征 | 目標金屬 |
采用磁控靶電極實現(xiàn)了直徑200mm的大面積樣品臺,滿足更大尺寸MSP-8in硅基板的需求。更大的樣品臺可同時鍍膜8英寸晶圓和多個SEM樣品,提高檢測工作效率。 | ||
采用磁控靶電極實現(xiàn)了直徑300mm的大面積樣品臺,滿足更大尺寸MSP-12in硅基板的需求。更大的樣品臺可同時鍍膜12英寸晶圓和多個SEM樣品,提高檢測工作效率。 |
設(shè)備 | 特征 | 目標金屬 |
MSP-40T 多用途實驗沉積系統(tǒng)。新型號配備了全自動沉積功能。 高效沉積,高速排氣,操作簡單。使用強磁場可以形成多金屬膜。 渦輪泵和隔膜泵可實現(xiàn)清潔的高真空。是一款價格低廉,性價比好的設(shè)備。 沉積靶材:Au、Ag、Pt、Au-Pd、Pd、Cu、Cr、Pt-Pd、Ni、Fe、W、Mo、Ta、Ti、Al、ITO等。 可以濺射各種金屬靶材。對于未列出的目標,請隨時與我們聯(lián)系。 |
深圳市秋山貿(mào)易有限公司版權(quán)所有 地址:深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生社區(qū)新旺路和健云谷2棟B座1002