臥式CNT/石墨烯合成裝置MPCVD-Graphene的特點(diǎn)
使用高真空泵系統(tǒng)(可選)沉積
的單層石墨烯/Ni 的光學(xué)顯微圖像
基板的快速冷卻據(jù)說是通過使用碳?xì)浠衔餁怏w(CH4 和 C2H2)的 CVD 方法在催化劑基板(Ni、Cu 等)上生長(zhǎng)石墨烯薄膜的重要因素之一。
該裝置配備了僅允許加熱部分滑動(dòng)而爐芯管保持原樣的機(jī)構(gòu)。這種滑動(dòng)機(jī)構(gòu)允許爐子的熱區(qū)快速?gòu)臉悠肺恢靡崎_,從而使樣品快速冷卻。此外,通過安裝可選的高真空排氣系統(tǒng),可以輕松沉積更大面積的單層石墨烯薄膜。
使用高真空泵系統(tǒng)(可選)沉積的單層石墨烯/Ni 的拉曼光譜
加熱期間(載玻片移動(dòng)前)
冷卻時(shí)(滑動(dòng)移動(dòng)后)
*實(shí)際產(chǎn)品可能與照片略有不同。
目的 : | 這是用于合成石墨烯薄膜的管式爐(50mmφ)型熱CVD設(shè)備。 |
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特征 : |
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