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產(chǎn)品資料
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日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃

產(chǎn)品名稱: 日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃
產(chǎn)品型號(hào):
產(chǎn)品特點(diǎn): 日本thermocera高溫階段“基板加熱"1800℃
加熱,板上/下板,板旋轉(zhuǎn),RF / DC板偏置
可以根據(jù)設(shè)備配置自由定制,Depo-Up和Down,定制板支架,板旋轉(zhuǎn)/上/下/上/下,傾斜加熱和反向?yàn)R射等各種功能都包含在該單元中。
各種加熱絲:NiCr,石墨,CCC,Inconel,鎢,鉬,SiC / PBN / PG涂層,鹵素?zé)艉推渌?0種類型

日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃ 的詳細(xì)介紹

日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃

 

加熱,板上/下板,板旋轉(zhuǎn),RF / DC板偏置

可以根據(jù)設(shè)備配置自由定制,Depo-Up和Down,定制板支架,板旋轉(zhuǎn)/上/下/上/下,傾斜加熱和反向?yàn)R射等各種功能都包含在該單元中。
各種加熱絲:NiCr,石墨,CCC,Inconel,鎢,鉬,SiC / PBN / PG涂層,鹵素?zé)艉推渌?0種類型

總覽

基板加熱階段需要加熱階段,例如垂直提升機(jī)構(gòu)(基板支架和加熱頭中的一個(gè)或兩個(gè)),基板旋轉(zhuǎn),RF / DC基板偏壓(反向飛濺RF / DC清潔)和加熱部分傾斜。它是具有多種功能的“多合一”組件。我們可以滿足對(duì)半導(dǎo)體制造設(shè)備和各種真空設(shè)備(氣相沉積設(shè)備,濺射,CVD設(shè)備)的所有要求。

 
   
       
 

 

基板加熱加熱器,晶片加熱,加熱臺(tái),晶片退火2寸熱舞臺(tái)_800C

 

   

 

基板加熱加熱器,晶片加熱,加熱臺(tái),晶片退火晶圓托盤(pán)_提起

 

 
       
   
 

應(yīng)用/用例

?半導(dǎo)體制造,薄膜的實(shí)驗(yàn)設(shè)備,RF / DC反濺射,PECVD,RIE等
?用熱臺(tái)(800℃說(shuō)明書(shū)→修飾以醉高1600℃)更換現(xiàn)有設(shè)備的加熱機(jī)構(gòu)
?新工藝評(píng)價(jià)機(jī)器,樣機(jī),等

 
   
 

加熱部位規(guī)格

?NiCr加熱器
?Inconel加熱器
?鎢加熱器
?鉬加熱器
?鹵素?zé)艏訜崞?br />?石墨加熱器
?C / C復(fù)合加熱器
?各種涂層加熱器(PG,PBN,SiC涂層,玻璃碳)

*工作溫度和數(shù)據(jù)均為“陶瓷頂”?請(qǐng)參閱“加熱器”。

 
   
   
 

各部分名稱


熱舞臺(tái)結(jié)構(gòu)

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