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產(chǎn)品資料
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日本napson嵌入非接觸式電阻測(cè)量模塊

產(chǎn)品名稱: 日本napson嵌入非接觸式電阻測(cè)量模塊
產(chǎn)品型號(hào): NC-110(NC-110PV)
產(chǎn)品特點(diǎn): 日本napson嵌入非接觸式電阻測(cè)量模塊
可以集成到用戶生產(chǎn)線或傳輸機(jī)器人中的測(cè)量模塊
根據(jù)所需的電阻測(cè)量范圍確定探頭數(shù)和探頭類型
通過局域網(wǎng)連接將命令/測(cè)量數(shù)據(jù)傳送到主機(jī)PC

日本napson嵌入非接觸式電阻測(cè)量模塊 的詳細(xì)介紹

日本napson嵌入非接觸式電阻測(cè)量模塊

 

  • 可以集成到用戶生產(chǎn)線或傳輸機(jī)器人中的測(cè)量模塊
  • 根據(jù)所需的電阻測(cè)量范圍確定探頭數(shù)和探頭類型
  • 通過局域網(wǎng)連接將命令/測(cè)量數(shù)據(jù)傳送到主機(jī)PC
  • 可以集成到用戶生產(chǎn)線或傳輸機(jī)器人中的測(cè)量模塊
  • 根據(jù)所需的電阻測(cè)量范圍確定探頭數(shù)和探頭類型
  • 通過局域網(wǎng)連接將命令/測(cè)量數(shù)據(jù)傳送到主機(jī)PC

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
 新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
 導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
 硅基外延,離子與
 半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
 其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)

測(cè)量尺寸

2-8英寸,?156 x 156毫米
(可選;?12英寸,?210 x 210毫米)

測(cè)量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探頭類型的總范圍)
[厚度] 500至約800μm

*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍,請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。

(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

 日本napson嵌入非接觸式電阻測(cè)量模塊

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